Piikarbidia löytyy meteoriiteista, ja sitä ei ole luonnossa lähes ollenkaan; siksi teollisiin sovelluksiin tarkoitetut piikarbidijauheet syntetisoidaan termisesti. Päämenetelmä piikarbidin teollisessa tuotannossa on kvartsihiekan (piidioksidi) suora sähköinen pelkistys (vastusuunissa) koksilla (C), yleensä vähintään 1900 °C:n lämpötilassa, kun kemiallinen reaktio tapahtuu :SiO2 + 3C = SiC + 2CO. Päämenetelmät korkean lämpötilan piikarbidikeramiikan valmistukseen ovat sintrattu piikarbidi, kuumapainesintraus, kuumaisostaattinen sintraus ja reaktiivinen sintraus. Taulukossa 1 on esitetty erilaisia sintrausmenetelmiä ja fysikaalisia ominaisuuksia
| Sintering
menetelmät |
sintrattu piikarbidi | Hot pressing
Sintraus |
thermal isostasis
Puristettu sintraus |
Reaction
Sintraus |
| Irtotiheys (g/cm3) | 3.12 | 3.21 | 3.21 | 3.05 |
| Murtolujuus ( MPa -m1/2) | 3.2 | 3.2 | 3.8 | 3.0 |
| Taivutuslujuus (MPa) 20℃ 1400℃ | 410 | 640 | 640 | 380 |
| 410 | 650 | 610 | 300 | |
| Elastisuusmoduuli ( GPa ) | 410 | 450 | 450 | 350 |
| Lämpölaajenemiskerroin (10 – 6/K) | 4.7 | 4.8 | 4.7 | 4.5 |
| Thermal conductivity ( W/ m -K) 20℃
1000 °C |
110 | 130 | 220 | 140 |
| 45 | 45 | 50 | 50 |
Taulukko 1: SiC-keramiikan sintrausmenetelmät ja fysikaaliset ominaisuudet
Sintrattua piikarbidia pidetään lupaavimpana sintrausmenetelmänä SiC-sintrausmenetelmänä, ja suurikokoisia ja monimutkaisia piikarbidikeramiikkaa voidaan valmistaa ilmakehän painesintrausprosessilla. Lisäämällä booria ja hiiltä erittäin puhtaaseen β-SiC:hen, joka sisältää jäännöshappea (alle 0,2 % happea) ja sintraamalla sen inertissä ilmakehässä 2000 ℃:n lämpötilassa, GE on onnistunut saamaan sintrattua piikarbidia, jonka tiheys on yli 98 % lämpötilassa 2020 ℃. SiC-keramiikka, jonka taivutuslujuus ja murtolujuus olivat 707 ja 10,7, sintrattiin 1850 ℃:ssa käyttäen Y2O3:a ja Al2O3:a sintrausapuaineina ja YA G:tä (Y3Al5O12) alhaisemmalla sulamispisteellä perusformulaatioelementtinä. Liu Baoying Shandongin silikaattitutkimus- ja suunnitteluinstituutista lisäsi sopivan määrän Al2O3:a ja Y2O3:a sintrauslisäaineiksi ja käytti lietemuovausprosessia tuottaakseen hienojakoista piikarbidikomposiittikeramiikkaa, jonka suhteellinen tiheys on 97 % 1780 ℃:ssa ja joka voi täyttää mekaanisten laitteiden teollisen tuotannon tarpeet. tiivisteet ja kulutusta kestävä keramiikka. Toistaiseksi tämän tyyppisen piikarbidikeramiikan tutkimus ei kuitenkaan ole kovin perusteellista ja sitä on kehitettävä edelleen.